7月23日晚上，长鑫科技发布公告，定于27日登陆科创板。
市场对长鑫上市后的股价存有不少“遐想”。有机构人士指出，从产业角度看，近期以AI产业链为代表的全球科技板块出现明显调整，说明市场对半导体发展趋势产生了分歧。
长鑫上市后股价如何演绎？业内认为，相比上市时一哄而上的局面，相对审慎的定价和相对温和的交易或许更理想。
全球科技板块出现降温。7月以来，半导体和存储产业股价连续调整。虽然市场对行业长期向好仍存信心，但盲目看涨存储价格的言论已不多见。更多观点认为，随着大厂大规模扩产，存储的超额利润终将回归均衡。
业内人士分析，对于大厂而言，短期内AI带来的收入增长难以跑赢资本投入增长。今年上半年，美国“科技七子”中6家显著跑输纳指，微软、Meta股价分别下跌超22%和14%，这表明市场对投资变现能力的担忧持续存在。同时，智能手机、新能源汽车等应用端的成本压力已摆在眼前，消费端对溢价的消化能力愈发乏力。
“种种迹象都可能成为AI资本开支增速掉头的催化剂。”一位长期跟踪全球AI产业的人士表示。
除了行业层面情况，长鑫科技自身的基本面也是影响股价的关键因素。
7月14日，长鑫科技通过网下询价确定发行价为8.66元/股。超额配售选择权行使前，发行后总股本为668.81亿股，对应总市值为5791.88亿元。
2026年一季度，公司实现营业收入508亿元，扣非净利润超263亿元，同比增速分别高达719%和1993%。长鑫科技预计，2026年上半年营收在1100亿元至1200亿元之间，同比增长612.53%至677.31%；净利润在500亿元至570亿元之间，同比增长2244.03%至2544.19%。
参照7月中旬价格，三星、SK海力士和美光的预测市净率（PB）大约在2026年末净资产的2至6倍之间；市盈率（PE）则大致为其2026年预计净利润的5至8倍。相比之下，长鑫科技发行价对应的市净率和市盈率分别在3倍和5倍左右，处于区间中位数偏下位置。
“长鑫上市后的市净率和市盈率上升空间有多大，关键还是取决于企业未来的研发和经营情况。”上述机构人士表示。
长鑫科技在上市公告书中提到，人工智能发展是驱动此轮DRAM行情的重要因素，但未来其带来的市场需求存在不确定性。目前全球主要DRAM厂商都在积极升级技术和扩充产能，若后续AI对DRAM需求不及预期，叠加新产能释放，可能导致供过于求，进而致使公司业绩下行。
AI资本开支隐忧显现。影响股价的多重因素中，基本面是根基，预期则是乘数。
今年存储产业持续火热，一大推力来自AI基础设施投资不断加码的预期。叠加大幅延长的长期协议，市场一度认为本轮AI产业引爆的存储需求和价格几乎“看不到上限”。
存储价格有没有上限？上述业内人士称，从供给端看，韩国举国投资、巨头持续加码都是实实在在：前不久在美国上市的SK海力士，将265亿美元巨额募资全部投入产能，龙仁晶圆厂、清州先进封装、美国印第安纳州封装基地被提上日程；三星龙仁园区首座晶圆厂投产时间提前一到两年，光州35年来首座新封装基地也进入最终审查；美光2026财年资本开支270亿美元，同比增长超70%，广岛93亿美元的HBM工厂已然动工，爱达荷州DRAM晶圆厂同步在建。
“再看需求端，尽管算力需求依然高企，但存储持续涨价已给下游带来巨大成本压力。在新的应用变现场景尚不确定下，美光85%的毛利率能否持续，恐怕还得多点思量。由此看来，即便短期内存储仍有供需缺口，价格可能也很难按当前水平和增速线性外推。”他说。
DRAM行业受市场供需波动影响较大，具有周期性特征。同时，宏观经济波动、高行业集中度下主要厂商的产能调控策略等因素，也加剧了行业的周期性波动。
周期行业产品价格在高峰和低谷差距巨大。2015年至2025年间，DRAM产品价格最高达到7.89美元/GB，2023年上半年最低点为1.78美元/GB，市场价格呈现大幅波动。
历史上，存储行业曾多次上演“涨价—盈利—扩产—过剩—跌价”的经典周期，每一轮起伏间，存储价格往往相差数倍甚至更多。
上述业内人士认为，对于存储企业，扩产的资本投入和时间消耗巨大，新建存储晶圆厂动辄耗资数百亿美元，从设备采购、厂房建设、工艺调试到良率稳定量产，至少需要2至3年。
“这么看来，存储的周期性特征还在，无非是大周期与小周期、长周期与短周期的差别。但即便是一个较长时间的大周期，股价也不可能完全按成长逻辑，在上市初期一次性拉满预期。”一位资深投行人士表示。
